HED-T5000/
           HED-T5000VF

此設(shè)備配備了先進的測試模式
           
           具備印加脈沖寬度為100ns/200ns的normal TLP測試與寬度到1ns的VF-TLP(Very Fast TLP)測試模式
           
           有助于驗證HBM/CDM模式的測試
           
           對于器件管腳的入射波和器件管腳發(fā)出的反射波，都可在示波器上確認到
           
           此數(shù)據(jù)會自動保存，并在專用的顯示軟件上表示
           
           專用顯示軟件可對入射波/反射波的合計值，snapback特性以及漏電流測試的電流值進行圖形描繪
           
           被保存的示波器上的數(shù)據(jù)可以進行高自由度的演算處理
           
           比如，對于不同工藝的晶體管的ON電壓及可以加在保護電路上的最大電流值等，可以通過曲線的重疊描繪來確認其差異
           
           并且可以與半自動探針臺連接，實現(xiàn)TLP測試的自動化
           
           由于可以在Wafer level上進行印加管腳間或芯片間的自動移位，所以能夠很大地提升測試效率

HED-T5000-HC

目前，對于半導(dǎo)體器件的高集成度?高頻?高耐壓的需求逐年增加
           
           對于在以往的TLP測試機無法完成的高電壓?大電流的特性測試，在本設(shè)備上得以實現(xiàn)、并有助于高耐壓元件工作參數(shù)的取得及分析